Lokal'naya diagnostika spinovykh defektov v obluchennykh SiC-diodakh Shottki

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

Впервые зарегистрированы спектры антипересечения спиновых подуровней и идентифицированы центры окраски со спином S = 3/2 в коммерчески доступных диодах Шоттки на основе 4H-SiC, подвергнутых облучению электронами с энергией 0.9 МэВ или протонами с энергией 15 МэВ. Показано влияние дозы облучения на процесс дефектообразования. Продемонстрировано, что повышение температуры, при которой проводилось облучение протонами, играет роль краткосрочного отжига, приводящего к уменьшению концентрации точечных дефектов.

About the authors

K. V Likhachev

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

Email: likhachevkv@mail.ioffe.ru
С.-Петербург, Россия

A. M Skomorokhov

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

M. V Uchaev

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

Yu. A Uspenskaya

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

V. V Kozlovskiy

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

С.-Петербург, Россия

M. E Levinshteyn

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

I. A Eliseev

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

A. N Smirnov

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

D. D Kramushchenko

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

R. A Babunts

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

P. G Baranov

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

References

  1. P. G. Baranov, I. V. Il’in, E. N. Mokhov, M. V. Muzafarova, S. B. Orlinskii, and J. Schmidt, JETP Lett. 82, 441 (2005).
  2. P. G. Baranov, A. P. Bundakova, I. V. Borovykh, S. B. Orlinskii, R. Zondervan, and J. Schmidt, JETP Lett. 86, 202 (2007).
  3. R. A. Babunts, Yu. A. Uspenskaya, A. P. Bundakova, G. V. Mamin, E. N. Mokhov, and P. G. Baranov, JETP Lett. 118, 629 (2023).
  4. D. J. Christle, A. L. Falk, P. Andrich, P. V. Klimov, J. U. Hassan, N. T. Son, E. Janzen, T. Ohshima, and D. D. Awschalom, Nature Mater. 14, 160 (2014).
  5. H. J. von Bardeleben, J. L. Cantin, A. Csore, A. Gali, E. Rauls, and U. Gerstmann, Phys. Rev. B 94, 121202 (2016).
  6. V. S. Vainer and V. A. Il’in, Sov. Phys. Solid State 23, 2126 (1981).
  7. J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, N. T. Son, E. Janzen, and T. Ohshima, Phys. Status Solidi (b) 245, 1298 (2008).
  8. V. A. Soltamov, B. V. Yavkin, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, A. G. Badalyan, V. Y. Davydov, E. N. Mokhov, I. I. Proskuryakov, S. B. Orlinskii, and P. G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 115, 247602 (2015).
  9. P. G. Baranov, A. P. Bundakova, A. A. Soltamova, S. B. Orlinskii, I. V. Borovykh, R. Zondervan, R. Verberk, and J. Schmidt, Phys. Rev. B 83, 125203 (2011).
  10. H. Kraus, V. A. Soltamov, F. Fuchs, D. Simin, A. Sperlich, P. G. Baranov, G. V. Astakhov, and V. Dyakonov, Sci. Rep. 4, 5303 (2014).
  11. O. O. Soykal and T. L. Reinecke, Phys. Rev. B 95, 081405 (2017).
  12. D. Simin, V. A. Soltamov, A. V. Poshakinskiy, A. N. Anisimov, R. A. Babunts, D. O. Tolmachev, E. N. Mokhov, M. Trupke, S. A. Tarasenko, A. Sperlich, P. G. Baranov, V. Dyakonov, and G. V. Astakhov, Phys. Rev. X 6, 031014 (2016).
  13. K. V. Likhachev, I. D. Breev, S. V. Kidalov, P. G. Baranov, S. S. Nagalyuk, A. V. Ankudinov, and A. N. Anisimov, JETP Lett. 116, 840 (2022).
  14. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovski, K. S. Davydovskaya, and M. E. Levinshtein, Materials 14, 4976 (2021).
  15. C. J. Cochrane and P. M. Lenahan, J. Appl. Phys. 112, 123714 (2012).
  16. Details, datasheet, quote on part number: CPW3-1700-S010BWP. https://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/2101/CPW3-1700-S010B-WP.php; (2021).
  17. L. F. Zakharenkov, V. V. Kozlovski, and B. A. Shustrov, Phys. Status Solidi A 117, 85 (1990).
  18. K. V. Likhachev, I. P. Veyshtort, M. V. Uchaev, A. V. Batueva, V. V. Yakovleva, A. S. Gurin, R. A. Babunts, and P. G. Baranov, JETP Lett. 119, 78 (2024).
  19. S. Orlinski, J. Schmidt, E. Mokhov, and P. Baranov, Phys. Rev. B 67, 125207 (2003).
  20. P. G. Baranov, H.-J. von Bardeleben, F. Jelezko, and J. Wrachtrup, Magnetic Resonance of Semiconductors and Their Nanostructures: Basic and Advanced Applications: Springer Series in Materials Science, Springer-Verlag GmbH Austria (2017), v. 253, ch. 6.
  21. M. E. Bathen, A. Galeckas, J. Muting, H. M. Ayedh, U. Grossner, J. Coutinho, Y. K. Frodason, and L. Vines, npj Quantum Inf. 5, 111 (2019).
  22. E. SOrman, W. M. Chen, N. T. Son, C. Hallin, J. L. Lindstrom, B. Monemar, and E. Janzen, Mat. Sci. Forum 264, 473 (1998).
  23. Mt. Wagner, B. Magnusson, W. M. Chen, E. Janzen, E. Sorman, C. Hallin, and J. L. Lindstrom, Phys. Rev. B 62, 16555 (2000).
  24. E. Janzen, A. Gali, P. Carlsson, A. Gallstrom, B. Magnusson, and N. T. Son, Physica B: Condensed Matter 404, 4354 (2009).
  25. J.-F. Wang, Q. Li, F.-F. Yan, H. Liu, G.-P. Guo, W.-P. Zhang, X. Zhou, L.-P. Guo, Z.-H. Lin, J.-M. Cui, X.-Y. Xu, J.-S. Xu, C.-F. Li, and G.-C. Guo, ACS Photonics 6, 1736 (2019).
  26. E. M. Y. Lee, A. Yu, J. J. de Pablo, and G. Galli, Nat. Commun. 12, 6325 (2021).
  27. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovski, M. E. Levinshtein, D. A. Malevsky, G. A. Oganesyan, A. M. Strel’chuk, and K. S. Davydovskaya, Semiconductors 56, 189 (2022).
  28. А. А. Лебедев, Д. А. Малевский, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, ФТП 57, 743 (2023).

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2024 Российская академия наук