Вклад осцилляций уровня Ферми в шубниковские и магнито-межподзонные осцилляции в одиночных квантовых ямах HgTe

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Экспериментально исследованы осцилляции Шубникова-де Гааза и магнито-межподзонные осцилляции магнитосопротивления структур с одиночными квантовыми ямами HgTe шириной 10-18 нм. Спектр зоны проводимости в этих структурах расщеплен спин-орбитальным взаимодействием. Это приводит к биениям осцилляций Шубникова-де Гааза и появлению низкочастотных магнито-межподзонных осцилляций. Необычным является взаимное положение пучностей осцилляций Шубникова-де Гааза и максимумов магнито-межподзонных осцилляций в малых магнитных полях оно прямо противоположно предсказаниям теории. Измерения в больших магнитных полях, в которых относительная амплитуда осцилляций Шубникова-де Гааза становиться больше 0.2-0.3, показывают смену взаимного положения пучностей осцилляций Шубникова-де Гааза и максимумов низкочастотных осцилляций. Численные расчеты и дополнительные измерения при различных температурах показывают, что наблюдаемые эффекты обусловлены осцилляциями уровня Ферми в магнитном поле.

Об авторах

Г. М Миньков

Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН

Email: grigori.minkov@urfu.ru
Екатеринбург, Россия

О. Э Рут

Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина

Екатеринбург, Россия

А. А Шерстобитов

Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина

Екатеринбург, Россия

А. В Германенко

Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина

Екатеринбург, Россия

С. А Дворецкий

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН

Новосибирск, Россия

Н. Н Михайлов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН

Новосибирск, Россия

Список литературы

  1. В. М. Поляновский, ФТП 22, 2230 (1988).
  2. D. R. Leadley, R. Fletcher, R. J. Nicholas, F. Tao, C. T. Foxon, and J. J. Harris, Phys. Rev. B 46, 12439 (1992).
  3. N. C. Mamani, G. M. Gusev, O. E. Raichev, T. E. Lamas, and A. K. Bakarov, Phys. Rev. B 80, 075308 (2009).
  4. N. C. Mamani, G. M. Gusev, E. C. F. da Silva, O. E. Raichev, A. A. Quivy, and A. K. Bakarov, Phys. Rev. B 80, 085304 (2009).
  5. I. A. Dmitriev, A. D. Mirlin, D. G. Polyakov, and M. A. Zudov, Rev. Mod. Phys. 84, 1710 (2012).
  6. Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Письма в ЖЭТФ 110, 274 (2019).
  7. G. M. Minkov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretski, N. N. Mikhailov, V. A. Solov’ev, M. Yu. Chernov, S. V. Ivanov, and A. V. Germanenko, Phys. Rev. B 101, 245303 (2020).
  8. N. N. Mikhailov, R. N. Smirnov, S. A. Dvoretsky, Yu. G. Sidorov, V. A. Shvets, E. V. Spesivtsev, and S. V. Rykhlitski, Int. J. Nanotechnology 3, 120 (2006).
  9. D. A. Khudaiberdiev, M. L. Savchenko, D. A. Kozlov, N. N. Mikhailov, and Z. D. Kvon, Appl. Phys. Lett. 121, 083101 (2022).
  10. G. M. Minkov, V. Y. Aleshkin, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretski, N. N. Mikhailov, and A. V. Germanenko, Phys. Rev. B 106, 085301 (2022).
  11. С. И. Дорожкин, ЖЭТФ 162, 598 (2022).
  12. Akira. Endo and Y. Iye, Phys. Soc. Jpn. 77, 064713 (2008).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2024