Rost silitsena metodom molekulyarno-luchevoy epitaksii na podlozhkakh CaF2/Si(111), modifitsirovannykh elektronnym oblucheniem

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Впервые экспериментально продемонстрирована возможность получения силицена на модифицированных электронным облучением подложках CaF2/Si(111). Показано, что формирующиеся под электронным пучком участки планарной поверхности CaSi2 с гексагональной упаковкой могут быть использованы как естественная основа для последующего роста силицена. На таких поверхностях проведено осаждение кремния и методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света получено подтверждение формирования островков силицена.

Sobre autores

A. Zinov'eva

Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Email: aigul@isp.nsc.ru
Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

V. Zinov'ev

Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН

Новосибирск, Россия

A. Katsyuba

Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН

Новосибирск, Россия

V. Volodin

Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

V. Muratov

Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия

A. Dvurechenskiy

Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

Bibliografia

  1. К. А. Лозовой, В. В. Дирко, В. П. Винарский, А.П. Коханенко, А. В. Войцеховский, Н.Ю. Акименко, Изв. вузов. Физика. 63, 104 (2021).
  2. P. Vogt, P. De Padova, C. Quaresima, J. Avila, E. Frantzeskakis, M. C. Asensio, A. Resta, B. Ealet, and G. Le Lay, Phys. Rev. Lett. 108, 155501 (2012).
  3. B. Feng, Z. Ding, S. Meng, Y. Yao, X. He, P. Cheng, L. Chen, and K. Wu, Nano Lett. 12, 3507 (2012).
  4. D. Chiappe, C. Grazianetti, G. Tallarida, M. Fanciulli, and A. Molle, Adv. Mater. 24, 5088 (2012).
  5. H. Enriquez, S. Vizzini, A. Kara, B. Lalmi, and H. Oughaddou, J. Phys.: Condens. Matter 24, 314211 (2012).
  6. M. E. Davila, L. Xian, S. Cahangirov, A. Rubio, and G. Le Lay, New J. Phys. 16, 095002 (2014)
  7. S. Kokott, P. Pflugradt, L. Matthes, and F. Bechstedt, J. Phys.: Condens. Matter 26, 185002 (2014).
  8. A. Kacyuba, A. Dvurechenskii, G. Kamaev, V. Volodin, and A. Krupin, Mater. Lett. 268, 127554 (2020).
  9. A. V. Dvurechenskii, A. V. Kacyuba, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, and Z. V. Smagina, Nanomaterials 12, 1407 (2022).
  10. A. Kacyuba, A. Dvurechenskii, G. Kamaev, V. Volodin, and A. Krupin, J. Cryst. Growth 562, 126080 (2021).
  11. R. Gonzalez-Rodriguez, R. M. del Castillo, E. Hathaway, Y. Lin, J. L. Coffer, and J. Cui, ACS Appl. Nano Mater. 5, 4325 (2022).
  12. R. Yaokawa, T. Ohsuna, T. Morishita, Y. Hayasaka, M. J. S. Spencer, and H. Nakano, Nat. Commun. 7, 10657 (2016).
  13. В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, В. А. Володин, А.К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А.Ю. Крупин, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский, Письма в ЖЭТФ 116, 608 (2022).
  14. P. De Padova, H. Feng, J. Zhuang, Z. Li, A. Generosi, B. Paci, C. Ottaviani, C. Quaresima, B. Olivieri, M. Krawiec, and Y. Du, Phys. Chem. C 121, 27182 (2017).
  15. L. S. Charles, W. E. Moddeman, and J. T. Grant, Appl. Phys. Lett. 52, 6921 (1981).
  16. A. V. Dvurechenskii, A. V. Kacyuba, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, N. P. Stepina, A. F. Zinovieva, and V. A. Zinovyev, Mater. Proc. 14, 68 (2023).
  17. G. Vogg, Martin S. Brandt, M. Stutzmann, and M. Albrecht, J. Cryst. Growth 203, 570 (1999).
  18. X. Meng, A. Ueki, H. Tatsuoka, and H. Itahara, Chem. Eur. J. 23, 3098 (2017).
  19. A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, V. A. Volodin, A. Y. Krupin, A. V. Kacyuba, and A. V. Dvurechenskii, Nanomaterials 12, 3623 (2022)
  20. V. A. Zinovyev, A. V. Kacyuba, V. A. Volodin, A. F. Zinovieva, S. G. Cherkova, Z. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, A. Y. Krupin, O.M. Borodavchenko, and V. D. Zhivulko, Semiconductors 55, 808 (2021).
  21. A. Klust, M. Grimsehl, and J. Wollschlager, Appl. Phys. Lett. 82, 4483 (2003).
  22. C. R. Wang, B. H. Muller, E. Bugiel, and K. R. Hofmann, Appl. Surf. Si. 211, 203 (2003).
  23. J. Suela, E. Abramof, P. H. O. Rappl, F. E. Freitas, H. Closs, and C. Boschetti, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 185405 (2011).
  24. P. Vogt, P. Capiod, M. Berthe, A. Resta, P. De Padova, T. Bruhn, G. Le Lay, and B. Grandidier, Appl. Phys. Lett. 104, 021602 (2014).
  25. C. Grazianetti, E. Cinquanta, L. Tao, P. De Padova, C. Quaresima, C. Ottaviani, D. Akinwande, and А. Molle, ACS Nano 11, 3376 (2017).
  26. E. Noguchi, K. Sugawara, R. Yaokawa, T. Hitosugi, H. Nakano , and T. Takahashi, Adv. Mater. 27, 856 (2015).
  27. S. M. Castillo, Z. Tang, A. P. Litvinchuk, and A. M. Guloy, Inorg. Chem. 55, 10203 (2016).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2024