Ramanovskoe rasseyanie sveta pri fazovykh prevrashcheniyakh v relaksornom segnetoelektrike PbCo1/3Nb2/3O3

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

В настоящей работе представлены результаты исследований фононной и релаксационной подсистем в кристалле релаксорного сегнетоэлектрика PbCo1/3Nb2/3O3 – (PCN) с помощью рамановского рассеяния света в диапазоне температур от 650 до 80 K, включающим в себя области “размытого фазового перехода” с максимумом диэлектрической проницаемости Tm ≈ 250 K на частоте 1 кГц и зарядового фазового расслоения в окрестности 170 K. Было показано, что поляризованные спектры PCN подобны тем, что наблюдаются в релаксорных сегнетоэлектриках со структурой перовскита. Анализ температурного поведения основных фононных мод и анизотропного квазиупругого рассеяния света показал существование аномалий в области начала образования (T2 ∼ 230 K) и окончательного формирования (T3 ∼ 170 K) зарядового фазового расслоения, определяемого присутствием в кристалле PCN ионов Co2+ и Co3+. Аномалии в эволюции рамановских спектров в окрестности максимума диэлектрической проницаемости Tm, характерные для релаксорных сегнетоэлектриков в PCN, не наблюдались. Динамика полярных нанообластей, определяющих поведение квазиупругого рассеяния света, отличается от той, что наблюдается в модельном релаксорном сегнетоэлектрике PbMg1/3Nb2/3O3

参考

  1. G. A. Smolenskii, V. A. Bokov, V. A. Isupov, N. N. Krainik, R. E. Pasynkov, A. I. Sokolov, Ferroelectrics and Related Materials, Gordon and Breach, N.Y. (1984), p. 350.
  2. H. Fu and R. Cohen, Nature 403, 281 (2000).
  3. A. A. Bokov and Z.-G. Ye, Journal of Advanced Dielectrics 2, 1241010 (2012).
  4. R. A. Cowley, S. N. Gvasaliya, S. G. Lushnikov, B. Roessli, and G. M. Rotaru, Adv. Phys. 60, 229 (2011).
  5. R. Pirc and R. Blinc, Phys. Rev. B 60, 13470 (1999).
  6. E. A. Popova, V. G. Zalessky, T. A. Shaplygina, S. N. Gvasaliya, S. G. Lushnikov, and S. V. Krivovichev, Ferroelectrics 412, 15 (2011).
  7. Б. X. Ханнанов, В. Г. Залесский, Е. И. Головенчиц, В. А. Санина, Т. А. Смирнова, М. П. Щеглов, В. А. Боков, С. Г. Лушников, ЖЭТФ 157, 523 (2020).
  8. A. H. Pandey, V. R. Reddy, A. K. Nigam, and S. M. Gupta, Acta Mater. 177, 160 (2019).
  9. J. W. Lee, J.-H. Ko, A. I. Fedoseev, T. A. Smirnova, and S. G. Lushnikov, J. Phys.: Condens. Matter 3, 025402 (2021).
  10. I. G. Siny, S. G. Lushnikov, R. S. Katiyar, and V. H. Schmidt, Ferroelectrics 226, 191 (1999).
  11. В. А. Боков, И. Е. Мыльникова, ФТТ 3, 841 (1961).
  12. I. G. Siny, R. S. Katiyar, and A. S. Bhalla, Ferroelectrics Review 2, 51 (2000).
  13. S. Kamba, APL Mater. 9, 020704 (2021).
  14. O. Svitelskiy, J. Toulouse, G. Yong, and Z.-G. Ye, Phys. Rev. B 68, 104107 (2003).
  15. I. G. Siny, S. G. Lushnikov, R. S. Katiyar, and E. A. Rogacheva, Phys. Rev. B 56, 7962 (1997).
  16. A. R. Conn, N. I. M. Gould, and Ph. L. Toint, Trust Region Methods, MPS-SIAM Series on Optimization, Series in Language and Ideology, Society for Industrial and Applied Mathematics, Philadelphia (2000), p. 959.
  17. Н. К. Дерец, А. И. Федосеев, Т. А. Смирнова, Дж.-Х. Ko, С. Г. Лушников, Письма в ЖЭТФ 120, 774 (2024).
  18. M. Balkanski, R. F. Wallis, and E. Haro, Phys. Rev. B 28, 1928 (1983).
  19. E. K. H. Salje and U. Bismayer, Phase Transitions 63, 1 (1997).
  20. B. Hehlen, M. Al-Sabbagh, A. Al-Zein, and J. Hlinka, Phys. Rev. Lett. 117, 155501 (2016).
  21. M. A. Helal, M. Aftabuzzaman, S. Tsukada, and S. Kojima, Sci. Rep. 7, 44448 (2017).
  22. N. K. Derets, A. I. Fedoseev, J.-H. Ko, S. Kojima, and S. G. Lushnikov, Materials 16, 346 (2023).

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML

版权所有 © Российская академия наук, 2025