Проявление послоевой локализации сингулярностей ван Хова в туннелировании между листами двухслойного графена

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Исследовано туннелирование между двумя листами двухслойного графена, кристаллические решетки которых повернуты относительно друг друга на небольшой угол. Обнаружено аномальное поведение туннельной проводимости, обусловленное проявлением сингулярностей ван Хова на краях зоны проводимости и валентной зоны, пространственно локализованных в различных монослоях двухслойного графена.

Об авторах

Е. Е Вдовин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН

Email: vdov62@yandex.ru
Черноголовка, Россия

Ю. Н Ханин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН

Черноголовка, Россия

С. В Морозов

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН

Черноголовка, Россия

М. А Кащенко

Центр фотоники и двумерных материалов, Московский физико-технический институт; Лаборатория физики программируемых функциональных материалов, Центр нейрофизики и нейроморфных технологий

Долгопрудный, Россия; Москва, Россия

А. А Соколик

Институт спектроскопии РАН

Москва, Россия

К. С Новоселов

Institute for Functional Intelligent Materials, National University of Singapore

Singapore

Список литературы

  1. E. McCann, Phys. Rev. B 74, 161403(R) (2006).
  2. E. McCann and V. I. Fal’ko, Phys. Rev. Lett. 96, 086805 (2006).
  3. H. Min, B. Sahu, S.K. Banerjee, and A.H. MacDonald, Phys. Rev. B 75, 155115 (2007).
  4. E.K. Yu, D.A. Stewart, and S. Tiwari, Phys. Rev. B 77, 195406 (2008).
  5. A. Ramasubramaniam, Nano Lett. 11(3), 1070 (2011).
  6. T. Ohta, A. Bostwick, Th. Seyller, K. Horn, and E. Rotenberg, Science 313(5789), 951 (2006).
  7. K. Su Kim, T.-H. Kim, A.L. Walter, Th. Seyller, H.W. Yeom, E. Rotenberg, and A. Bostwick, Phys. Rev. Lett. 110, 036804 (2013)
  8. F. Joucken, C. Bena, Zh. Ge, E.A. Quezada-Lopez, F. Ducastelle, T. Tanagushi, K. Watanabe, and J. Velasco, Jr., Phys. Rev. Lett. 127, 106401 (2021).
  9. S.C. de la Barrera, S. Aronson, Zh. Zheng, K. Watanabe, T. Taniguchi, Q. Ma, P. Jarillo-Herrero, and R. Ashoori, Nat. Phys. 18, 771 (2022).
  10. A.M. Seiler, F.R. Geisenhof, F.Winterer, K.Watanabe, T. Taniguchi, T. Xu, F. Zhang, and R.Th. Weitz, Nature 608, 298 (2022).
  11. T. L.M. Lane, J.R. Wallbank, and V. I. Fal’ko, Appl. Phys. Lett. 107, 203506 (2015).
  12. J. J.P. Thompson, D. J. Leech, and M. Mucha-Kruczynski, Phys. Rev. B 99, 085420 (2019).
  13. J. P. Eisenstein, T. J. Gramila, L.N. Pfeiffer, and K.W. West, Phys. Rev. B 44, 6511 (1991).
  14. L. Zheng and A.H. MacDonald, Phys. Rev. B 47, 10619 (1993).
  15. Y. Zhang, T.-T. Tang, C. Girit, Zh. Hao, M.C. Martin, A. Zettl, M. F. Crommie, Y.R. Shen, and F. Wang, Nature 459, 820 (2009).
  16. K. Lee, B. Fallahazad, J. Xue, D.C. Dillen, K. Kim, T. Taniguchi, K. Watanabe, and E. Tutuc, Science 345(6192), 58 (2014).
  17. E. Icking, L. Banszerus, F. Wortche, F. Volmer, Ph. Schmidt, C. Steiner, S. Engels, J. Hesselmann, M. Goldsche, K. Watanabe, T. Taniguchi, Ch. Volk, B. Beschoten, and Ch. Stampfer, Adv. Electron. Mater. 8(11), 2200510 (2022).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024