Strukturnye issledovaniya rekonstruktsii 2 × 2-(Bi,Mg) na poverkhnosti Si(111)
- Авторлар: Ryzhkova M.V1, Azat'yan S.G1, Denisov N.V1, Tsukanov D.A1
-
Мекемелер:
- Шығарылым: Том 121, № 11-12 (2025)
- Беттер: 938-944
- Бөлім: Articles
- URL: https://rjraap.com/0370-274X/article/view/685395
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X25060137
- EDN: https://elibrary.ru/UJIFSM
- ID: 685395
Дәйексөз келтіру
Аннотация
Методом расчета из первых принципов была исследована кристаллическая структура поверхностной реконструкции Si(111)2 × 2-(Bi,Mg), полученной в процессе адсорбции магния на поверхностную фазу Si(111)√3 × √3-Bi. Установлен стехиометрический состав элементарной ячейки поверхностной реконструкции 2 × 2. Исходя из полученных расчетных значений энергии формирования, определены наиболее стабильные структуры для двумерного сплава типа BiXMgY , Показано, что структурная модель с конфигурацией X = 2 и Y = 4 хорошо согласуется с результатами наблюдений реконструированной поверхности Si(111)2 × 2-(Bi,Mg), полученными с помощью методов дифракции медленных электронов и сканирующей туннельной микроскопии.
Әдебиет тізімі
- T. Zhang, P. Cheng, W.-J. Li, Y.-J. Sun, G. Wang, X.-G. Zhu, K. He, L. Wang, X. Ma, X. Chen, Y. Wang, Y. Liu, H.-Q. Lin, J.-F. Jia, and Q.-K. Xue, Nature Phys. 6(2), 104 (2010).
- Y. Hasegawa, Nature Phys. 6(2), 80 (2010).
- F. Ming, X. Wu, C. Chen, K. D. Wang, P. Mai, T. A. Maier, J. Strockoz, J. Venderbos, C. Gonz´alez, J. Ortega, S. Johnston, and H. Weitering, Nature Phys. 19(4), 500 (2023).
- Q.-Q. Yang, R.-T. Liu, C. Huang, Y.-F. Huang, L.-F. Gao, B. Sun, Z.-P. Huang, L. Zhang, C.-X. Hu, Z.-Q. Zhang, C.-L. Sun, Q. Wang, Y.-L. Tang, and H.-L. Zhang, Nanoscale 10(45), 21106 (2018).
- S. Hasegawa, Appl. Phys. Express 17(5), 050101 (2024).
- K. Sakamoto, T. Kobayashi, K. Yaji, T. Shishidou, and M. Donath, Progress in Surface Science 97(3), 100665 (2022).
- T. Oguchi and T. Shishidou, J. Phys. Condens. Matter 21(9), 092001 (2009).
- S. Wirth and F. Steglich, Nat. Rev. Mater. 1(10), 1 (2016).
- W. Li, X. Qian, and J. Li, Nat. Rev. Mater. 6(9), 829 (2021).
- S.-Y. Yang, K. Chang, and S. S. Parkin, Physical Review Research 2(2), 022029 (2020).
- T. Zhou, J. Zhang, H. Jiang, I. Zuti´c, and Z. Yang, npj ˇ Quantum Mater. 3(1), 39 (2018).
- G.-Y. Guo, J. Magn. Magn. Mater. 563, 169949 (2022).
- F. Schindler, Z. Wang, M. G. Vergniory, A. M. Cook, A. Murani, S. Sengupta, A. Y. Kasumov, R. Deblock, S. Jeon, I. Drozdov, H. Bouchiat, S. Gueron, A. Yazdani, B. A. Bernevig, and T. Neupert, Nature Phys. 14(9), 918 (2018).
- T. Hirahara, K. Miyamoto, I. Matsuda, T. Kadono, A. Kimura, T. Nagao, G. Bihlmayer, E. Chulkov, S. Qiao, K. Shimada, H. Hamatame, M. Taniguchi, and S. Hasegawa, Phys. Rev. B 76(15), 153305 (2007).
- A. Tupchaya, L. Bondarenko, Y. Vekovshinin, A. Yakovlev, A. Mihalyuk, D. Gruznev, C. Hsing, C. Wei, A. Zotov, and A. Saranin, Phys. Rev. B 101 (23), 235444 (2020).
- A. Tupchaya, L. Bondarenko, A. Yakovlev, Y. Vekovshinin, A. Mihalyuk, D. Gruznev, N. Denisov, A. Matetskiy, A. Y. Aladyshkin, A. Zotov, and A. Saranin, Applied Surface Science 589, 152951 (2022).
- M. Ryzhkova and D. A. Tsukanov, St. Petersburg Polytechnic University Journal: Physics and Mathematics 15(S3. 1), 107 (2022).
- S. Terakawa, S. Hatta, H. Okuyama, and T. Aruga, Phys. Rev. B 105(12), 125402 (2022).
- T. Kuzumaki, T. Shirasawa, S. Mizuno, N. Ueno, H. Tochihara, and K. Sakamoto, Surf. Sci. 604(11–12), 1044 (2010).
- A. Saranin, A. Zotov, V. Lifshits, M. Katayama, and K. Oura, Surf. Sci. 426(3), 298 (1999).
- A. Jain, S. P. Ong, G. Hautier, W. Chen, W. D. Richards, S. Dacek, S. Cholia, D. Gunter, D. Skinner, G. Ceder, and K. A. Persson, APL Mater. 1(1), 011002 (2013).
- G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47(1), 558 (1993).
- G. Kresse and J. Furthm¨uller, Phys. Rev. B 54(16), 11169 (1996).
- J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77(18), 3865 (1996).
- K. Oura, V. Lifshits, A. Saranin, A. Zotov, and M. Katayama, Surface Science: An Introduction, Advanced Texts in Physics, Springer Berlin Heidelberg (2013).
Қосымша файлдар
