ВЛИЯНИЕ ДВУМЕРНЫХ ПРОЦЕССОВ НА ГРУППИРОВАНИЕ ИНТЕНСИВНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПОТОКОВ В ШИРОКОПОЛОСНЫХ КЛИСТРОНАХ
- Авторы: Родякин В.Е.1, Аксенов В.Н.2
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»
- Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова»
- Выпуск: Том 89, № 1 (2025)
- Страницы: 95-102
- Раздел: Волновые явления: физика и применения
- URL: https://rjraap.com/0367-6765/article/view/683794
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676525010166
- EDN: https://elibrary.ru/DAERAC
- ID: 683794
Цитировать
Аннотация
Представлены результаты исследования влияния двумерных процессов на группирование электронных потоков в однолучевых и многолучевых широкополосных клистронах. Приводятся результаты сравнительного анализа группирования с помощью одномерной и двумерной модели. Анализируются причины ошибок в определении выходных параметров широкополосных клистронов, полученных с помощью одномерных программ.
Об авторах
В. Е. Родякин
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»
Email: vrodyakin@mail.ru
Москва, Россия
В. Н. Аксенов
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова»Москва, Россия
Список литературы
- Родякин В.Е., Пикунов В.М., Аксенов В.Н. // Журн. радиоэлектрон. 2020. № 12. С. 1
- Rodyakin V.E., Pikunov V.M., Aksenov V.N. // J. Radio Electron. 2020. No. 12. Art. No. 14.
- Родякин В.Е., Аксенов В.Н. // Вест. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2021. № 5. С. 70.
- www.cst.com
- Родякин В.Е., Пикунов В.М., Аксенов В.Н. // Журн. радиоэлектрон. 2019. № 5. С. 1
- Rodyakin V.E., Pikunov V.M., Aksenov V.N. // J. Radio Electron. 2019. No. 6. Art. No. 4.
- Sandalov A.N., Pikunov V.M., Rodyakin V.E. et al. // KEK report 1/1997. P. 185.
- Shen B., Ding Y., Zhang Z. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 2014. V. 61. No. 6. P. 1848.
- Zhiqiang Zhang, Jirun Luo, Zhaochuan Zhang et al. // Progr. Electromagn. Res. C. 2020. V. 103. P. 177.
- Родякин В.Е., Пикунов В.М., Аксенов В.Н. // Изв. РАН. Сер. физ. 2021. Т. 85. № 1. С. 106
- Rodyakin V.E., Pikunov V.M., Aksenov V.N. // Bull. Russ. Acad. Sci. 2021. V. 85. No. 1. P. 83.
- Родякин В.Е., Аксенов В.Н. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 1. С. 88
- Rodyakin V.E., Aksenov V.N. // Bull. Russ. Acad. Sci. 2022. V. 86. No. 1. P. 62.
- Канавец В.И., Сандалов А.Н. // Электрон. техн. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1971. № 3. C. 11.
- Ding Y., Yunshu Zhu, Xiuling Yin et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 2007. V. 54. No. 4. P. 624.
Дополнительные файлы
