Indexing metadata

Особенности роста кристаллов Cd3As2 методом вертикального парогазового транспорта и их свойства

Dublin Core PKP Metadata Items Metadata for this Document
1. Title Title of document Особенности роста кристаллов Cd3As2 методом вертикального парогазового транспорта и их свойства
2. Creator Author's name, affiliation, country Ю. Б. Нечушкин; Национальный исследовательский технологический университет “МИСИС”; Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук; Russian Federation
2. Creator Author's name, affiliation, country А. И. Риль; Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук; Russian Federation
2. Creator Author's name, affiliation, country Л. Н. Овешников; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук; Russian Federation
2. Creator Author's name, affiliation, country А. Б. Давыдов; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук; Russian Federation
2. Creator Author's name, affiliation, country М. Г. Васильев; Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук; Russian Federation
2. Creator Author's name, affiliation, country С. Ф. Маренкин; Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук; Russian Federation
3. Subject Discipline(s)
3. Subject Keyword(s) Cd3As2; монокристаллы; поликристаллы; химические транспортные реакции; транспортные свойства
4. Description Abstract

Методом химических транспортных реакций с использованием вертикального варианта массопереноса выращены игольчатые, ограненные пластинчатые и рекордные по массе (до 25 г) и размерам объемные кристаллы Cd3As2. Расчеты массопереноса и скоростей роста на основе данных по парциальным давлениям паров Cd и As4 использовались для оптимизации эксперимента. Качество кристаллов контролировали с помощью рентгеновского анализа. На монокристаллах выполнены комплексные исследования магнитотранспортных свойств в диапазоне температур 80–300 К и в магнитных полях до 1 Тл. Показано, что синтезированные кристаллы Cd3As2 характеризуются металлическим характером температурной зависимости сопротивления и выраженным линейным вкладом в магнетосопротивление, амплитуда которого достигает 135%/Тл при Т = 80 К. При этом концентрация носителей заряда, определенная из эффекта Холла, оказалась заметно ниже типичных значений для поликристаллов Cd3As2. Линейный характер зависимости сопротивления от магнитного поля и значительная величина амплитуды данного эффекта представляют практический интерес для использования кристаллов Cd3As2 в качестве материалов магнитных сенсоров.
5. Publisher Organizing agency, location The Russian Academy of Sciences
6. Contributor Sponsor(s) Russian Science Foundation (21-73-20220)
7. Date (DD-MM-YYYY) 14.10.2024
8. Type Status & genre Peer-reviewed Article
8. Type Type Research Article
9. Format File format
10. Identifier Uniform Resource Identifier https://rjraap.com/0002-337X/article/view/683564
10. Identifier Digital Object Identifier (DOI) 10.31857/S0002337X24090026
10. Identifier eLIBRARY Document Number (EDN) LMMTSU
11. Source Title; vol., no. (year) Neorganičeskie materialy; Vol 60, No 9-10 (2024)
12. Language English=en ru
13. Relation Supp. Files Fig. 1. Results of Cd3As2 crystal growth rate calculations and comparison with experimental data. (93KB)
Fig. 2. External appearance (a) and powder X-ray diffraction pattern (b) of the synthesized polycrystalline Cd3As2 ingot. (175KB)
Fig. 3. External appearance of an acicular crystal with a faceted plane (100), with the growth direction along the c axis (a); X-ray diffraction pattern obtained from the upper face (b). (202KB)
Fig. 4. External appearance of an acicular-plate crystal (a); X-ray diffraction pattern obtained from the upper face (b). (160KB)
Fig. 5. External appearance of a plate-faceted single crystal (a); X-ray diffraction pattern obtained from the upper face (b). (164KB)
Fig. 6. External appearance of a bulk crystal (a); X-ray diffraction pattern obtained from a cross-section (b). (162KB)
Fig. 7. Temperature dependence of the specific resistance of the crystal synthesized in experiment 4 (a); field dependences of the Hall (b) and longitudinal (c) resistances of the crystal at temperatures of 300 and 80 K (the black dashed-dotted lines show linear approximations of the data, the corresponding parameters are given in Fig. (b) and (c)). (175KB)
14. Coverage Geo-spatial location, chronological period, research sample (gender, age, etc.)
15. Rights Copyright and permissions Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences